用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法技术资料下载

技术编号:2732672

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本发明涉及微电子学与纳米电子学中的微纳米加工,尤其涉 及一种。背景技术随着大规模集成电路的特征尺寸进入到纳米级,传统的硅基集成电路 技术面临挑战,纳电子学正在蓬勃发展,新工艺的研究也成为当前热点领 域。双层胶工艺由于其底层胶的内切结构(如图1所示,图1为双层胶内 切结构示意图),降低了金属剥离工艺的难度,提高了金属剥离工艺的成 品率,在制备纳电子器件金属电极、纳米压印模板等方面具有广泛的潜在 应用前景。通常,常用的电子束双层胶工艺采用不同分子量的PMMA的...
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