技术编号：2736267
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体，涉及半导体光学放大器、半导体激光器、调制器、探测器和超辐射发光管等需要与单模光纤耦合的所有器件与模斑转换器的集成。本发明一种连续自对准半导体光电子器件与模斑转换器的集成方法，其特征在于，包括如下步骤1)利用金属有机气相化学沉积技术在铟磷衬底上依次生长铟磷缓冲层、铟镓砷磷下波导限制层、铟磷隔离层、有源区结构、薄层铟镓砷磷上限制层和铟磷保护层；2)采用普通的光刻腐蚀技术将模斑转换器部分刻蚀到铟磷下隔离层；3)采用等离子体气相沉积技术在整个芯片...
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