技术编号:27367019
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种高栅极可靠性的增强型gan hemt器件技术领域.本实用新型属于高电子迁移率晶体管(hemt)技术领域,涉及一种p‑gan栅增强型gan‑hemt器件,具体涉及一种高栅极可靠性的增强型gan hemt器件。背景技术.高电子迁移率晶体管(hemt)是一种异质结场效应晶体管,这种器件依靠半导体异质结中具有量子效应的二维电子气(deg)形成导电沟道,评判器件的性能是由二维电子气的密度、迁移率的大小和饱和速度等因素共同决定的。hemt具有电子迁移率、电流大、击穿电压高等特点,广泛应用于高频大功...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。