技术编号：2736765
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请一般涉及光子晶体表面态。 概要在一个实施例中，一种装置包括配置成支持表面态的边界区的第一光子晶 体结构，该第一光子晶体结构包括耦合至边界区的第一表面态输入、耦合至边 界区的第一表面态输出、以及第一门(gate)，该第一门包括具有一种或多种 可变电磁特性的区域。前述概要仅是示例性的，并且无意以任何方式进行限制。除以上所描述的示例性方面、实施例和特征之外，通过参照附图和以下的详细描述，其它方面、 实施例和特征将变得显而易见。附图说明图l示出了光子带隙图。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。