技术编号：2736941
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及软光刻法，更具体地，涉及使用软光刻法形成 纳米级特征。背景技术光刻法被广泛用于制造电子器件、磁器件、机械器件、和光学器 件、以及可用于生物学和化学分析的器件。例如，光刻技术可用于限 定半导体器件中电路元件的特征和/或结构，例如一个或多个晶体管、通路、内连线等。再例如，光刻法可用于限定光波导和光学元件的结 构和/或操作特征。又例如，光刻法可用于形成可用来传输流体和为包 括离子分离、反应催化等的化学反应和/或分析提供位点的结构。有时被称为"晶片...
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