技术编号：2737448
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路的制造，并涉及在制造集成电路中有用的光 掩模的制造。背景技术将钝化剂添加到等离子体蚀刻化学中以引起各向异性是已知的。 典型的钝化剂在等离子体中产生不饱和自由基(例如，CFx、 CC1X、 CHX 等)，该不饱和自由基低聚以形成抑制侧向蚀刻的侧壁膜。虽然前面的 例子基于碳基聚合化学；但还已经使用无机钝化剂(例如，含Si、含B、 含S的等)。蚀刻剂-不饱和化合物(蚀刻剂-钝化剂)策略被广泛用于等离子体 工艺。蚀刻剂通常是卤素，不饱和化合物通常...
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