技术编号：2738212
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及电光设备领域。举例来说，本发明的实施例涉及一种电光调 制器及其制备方法。背景技术近年来，硅基调制器受到相当多的关注。硅中的调制机制受自由载流子等离子体 分散效应(FCPD)的支配。当自由载流子的浓度变化致使折射率和消光系数或吸光系数相 应发生改变时，将发生所述FCPD效应，其导致相移。可以通过使用p-i-n 二极管或基于金 属氧化物半导体(MOS)电容器的设备结构改变自由载流子的浓度。pin提供高效的折射率变化并由此提供高的相位调制效率。...
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