全禁带三维光子晶体压印成型方法及全禁带三维光子晶体结构的制作方法技术资料下载

技术编号:2738853

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本发明属于微纳制造,涉及一种全禁带三维光子晶体的 压印成型制造方法及全禁带三维光子晶体结构。 背景技术光子晶体根据其介电常数在空间中的分布情况可分为一维、二 维和三维光子晶体。三维光子晶体的结构包括晶体的几何构形与介质 的填充比例。常见的晶体几何构形包括面心立方、体心立方、密堆六 方结构等。其中面心立方结构最有利于得到完全光子禁带。三维光子 晶体的制造目前主要采取两种基本方式。 一种是自上而下的加工方 式,包括机械法和半导体加工法等。机械法指利用微加工相关...
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