技术编号：2739102
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光刻装置的参数的选择和设置领域，尤其涉及减少后续制程中 OPC (光学邻近效应修正)光刻系统NA-CJ两参数的选择方法。在半导体制程中，光刻装置用来曝光其光罩上不同的半导体器件设计图案。 为保证成像在晶圓(Wafer)上图案的质量，在曝光这些设计图案时根据设计图 案的特征尺寸(线宽以及线宽之间的最小间距)来设置能获得较大工艺窗口 (Process Window)的光刻系统的NA- cr的值。光刻系统中成像透镜的数值孔径 (Numerical ap...
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