技术编号：2739103
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光学邻近效应修正(OPC)领域，尤其涉及应用于OPC的OPC模型残余误差的减小方法。背景技术随着集成电路的集成度越高，其制造技术在不断向更小特征尺寸发展。然而光刻制程成为了限制集成电路向更小特征尺寸制作发展的主要瓶颈。光刻制程主要的原理是通过光源将光罩上集成电路的设计版图投影在晶圓上。然而随着特征尺寸的减小，晶圆上投射的影像呈现的光学上的扭曲以及异常形状使得投影出的小特征尺寸图案的特征尺寸(Critical Dimension CD)难以达到预期...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。