技术编号:2739550
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术中的微电子加工领域,尤其是涉及一种深紫外光刻 制作"T"型栅的方法。背景技术在高频、微波领域的器件制作中,栅长越短,工作频率也就越高,由于器 件的高频增益除了受栅长影响之外,受栅寄生参量栅电阻Rg和栅电容Cgs的影 响也很大。减小栅长,可以使栅电容Cgs降低,但要保证栅电阻Rg不能降低, 为解决Rg和Cgs的矛盾,采用"T"形栅技术是目前最有效工艺途径。目前有 许多不同的叫法,如"T"形栅、蘑菇形栅、"r"形栅等,是根据其形状而形 象化...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。