技术编号：2740893
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子制造业，尤其是在多层堆叠掩膜中蚀刻特征的工艺。技术背景随着器件特征的特征尺寸小于100nm，特征的临界尺寸(CD)要求成 为衡量器件稳定性和可再现性的更重要的标准。在给定光学透明度下，光 刻胶薄膜必须更薄以更好的分解，因此在无硬掩膜的情况下，很难得到足 够的蚀刻电阻。特征侧壁的条纹是CD变化的主要来源之一。 一般认为， 当蚀刻衬底形成特征时，条纹从掩膜的侧壁开始出现并且向下延伸入衬 底。条纹的出现是光刻工艺和蚀刻工艺的共同结果。由显影过程中由...
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