技术编号：2741183
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化学放大型抗蚀剂组合物。技术背景用于采用光刻(lithography)法的半导体微型制造的化学放大型抗蚀剂组合物含有酸生成剂，该酸生成剂包含通过辐照产生酸的化合物。在半导体微型制造中，适宜的是形成具有高分辨率和良好图案形貌的图案，并且期望化学放大型抗蚀剂组合物产生这样的图案。JP 2003-005374 Al公开了一种化学放大型抗蚀剂组合物，该化学放大 型抗蚀剂组合物包含树脂和酸生成剂，所述树脂包含具有酸-不稳定基团的 结构单元和具有至少一种内酯...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。