技术编号：2741434
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子专用设各，尤其是用于双面光刻机中实现样片与掩模版套刻 对准的一种方法。技术背景-双面光刻机中可供选择的对准方法有多种，如红外对准、四物镜对准、双掩模对准及光 栅相位对准等。但是，在这些对准方法中，都存在着一定的甚至致命的缺陷。其中，红外对 准的不足之处在于红外显微镜观察条件差，对准精度低，且对准速度慢，生产率低；晶片 达到一定厚度时，红外线穿透能力降低，对准很困难；且不能用于不透红外光的晶片曝光。 四物镜对准原理的不足之处是光学系统复杂，设...
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