技术编号：2743987
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，尤其涉及对依次层叠有处理对象层、 中间层和掩模层的基板进行处理的。背景技术已知，在硅基材上依次层叠有包含通过CVD处理等形成的杂质的 氧化膜、例如TEOS (Tetra Ethyl Ortho Silicate)膜，导电膜、例如TiN 膜，反射防止膜(BARC膜)以及光致抗蚀剂膜的半导体器件用的晶 片(例如，参照专利文献1)。光致抗蚀剂膜通过光刻法形成为规定的 图案，在反射防止膜和导电膜的蚀刻时，发挥掩模层的功能。近年来，随着半导体器件的小型化...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。