技术编号：2744868
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种。 背景技术随着半导体制造工艺的发展，半导体芯片的面积越来越小，因此半导体工艺的精 度也变得更加重要。在半导体制造工艺中，其中一个重要的工艺就是光刻，光刻是将掩膜版 图案转移为晶圆上的光刻图案的工艺过程，因此光刻的质量会直接影响到最终形成的芯片 的性能。随着半导体芯片尺寸的缩小，传统的单次光刻工艺已经不能满足半导体工艺的需 求，在这种情况下，双光刻工艺应运而生。下面对现有技术中的双进行介绍，现有 技术中的双包括以下步骤...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。