技术编号：2744927
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种用于沟槽工艺改善光刻关键尺 寸的方法。背景技术目前，当沟槽刻蚀形成后，因沟槽深度所带来的台阶差及沟槽本身的数据百分比 (data ratio)会给后续的光刻工艺带来极大的挑战，尤其是对关键尺寸的控制。针对沟槽 深度所带来的台阶差，后续的光刻工艺主要通过BARC (底部抗反射涂层)或化学材料旋涂， 或通过空白刻蚀来做表面平坦化。具体方法如图1-6所示，依次包括第一次化学填充材料 旋涂(参见图1)，第一次化学填充材料...
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