技术编号：2751892
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。具有静电放电保护结构的光刻掩模版本申请要求于2008年10月31日提交的美国专利申请12/263,413的优先权。 背景技术本发明涉及光刻掩模版(photolithographic reticle)，并且更特别地涉及具有静电放电保护结构的掩模版。集成电路包含导电线和半导体器件结构的图案。这些图案化结构的宽度通常小于一微米。这类窄特征是利用光刻半导体制造技术加工的。在典型光刻工艺中，被称为光刻掩模版(photolithographic reticle)或光掩...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。