技术编号：2752340
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺中的一种清洗液，尤其涉及一种去除光阻层残留物的清洗液。背景技术在半导体元器件制造过程中，光阻层的涂敷、曝光和成像对元器件的图案制造来 说是必要的工艺步骤。在图案化的最后(即在光阻层的涂敷、成像、离子植入和蚀刻之后) 进行下一工艺步骤之前，光阻层材料的残留物需彻底除去。在掺杂步骤中离子轰击会硬化 光阻层聚合物，因此使得光阻层变得不易溶解从而更难于除去。至今在半导体制造工业中 一般使用两步法(干法灰化和湿蚀刻)除去这层光阻层膜。第一步利...
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