技术编号：2752555
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造，尤其是涉及一种辅助图案填充方法和装置。背景技术随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件的线宽特征尺寸已经进入深亚微米 结构。半导体器件后段连线制造中常用的流程是在中间膜层的上表面旋涂光刻胶(所述 中间膜层可以为硅基底，也可以为非介电薄膜等)，通过光刻将掩模板上的图案转移到光刻 胶上；对所述中间膜层上没有光刻胶覆盖的区域进行刻蚀，在所述中间膜层上形成掩模板 图案定义的沟槽和通孔；在沟槽和通孔的底部和侧壁沉积扩散阻挡层(例如钽、氮化钽...
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