技术编号：2752568
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种基于衬底刻蚀后图形对本层光 刻图形进行修正的方法。背景技术随着曝光图形CD (关键尺寸)的日益缩小，OPC(光学临近修正)图形修正方法被 愈来愈多地应用在一些先进光刻工艺中。图1是现有的OPC图形修正方法控制流程图。包括如下步骤1、根据器件设计要 求提出相应的方案和规划；2、对光刻、刻蚀工艺流程进行调整、优化，满足设计需求，同时确 定光刻、刻蚀的目标CD ；3、基于优化后的光刻、刻蚀工艺流程，通过测试掩膜板上的特...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。