技术编号：2754878
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，尤其涉及一种制作掩膜版的方法以及光学邻近修正方法。背景技术图形化工艺是半导体器件制作中常见的工艺，其是以掩模版为掩膜，将布局图形形成在半导体衬底上的光刻胶层上，以产生印于光刻胶层上的一种光刻胶层图案。随着半导体器件关键尺寸的越来越小，在半导体工艺的工艺结点(二分之一孔距)小于32nm时，在193nm(纳米)水沉浸式光刻条件下利用一个掩膜版作为掩膜形成图形化工艺遇到了物理限制，相邻的图形孔距过小，由于光学邻近效应，会出现相邻图形粘连的现象。...
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