技术编号:27549483
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。ligbt、制备方法、智能功率模块、驱动电路及电器技术领域.本发明涉及功率半导体器件领域,尤其涉及一种ligbt、制备方法、智能功率模块、驱动电路及电器。背景技术.横向绝缘栅双极型晶体管(lateral insulated gate bipolar transistor,ligbt)具有易于集成、输入阻抗高以及导通压降低等优点,已广泛应用于通信、交通、能源、家用电器等领域。.传统的ligbt器件在关断的过程中有明显的电荷存储效应,导致较大的关断损耗;阳极短路型横向绝缘栅型双极型晶体管(sh...
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