技术编号：2756241
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种提高外延填充和CMP研磨后光刻标记信号的方法。背景技术超结结构的MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)，由于其构造特殊，导通电阻非常低，耐高压，发热量低，打破了传统功率MOSFET的理论极限。通常，超结MOSFET的制备方法是在P+衬底硅片上生长N-硅外延层，然后在外延层刻蚀深沟槽，然后再用外延填充沟槽，最后用化学机械研磨(CMP)工艺进行表面平坦化， 即可得到交替排列的P型和N型半导体柱。但经过外延...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。