技术编号：2756778
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种对深紫外区辐射敏感的光刻胶组合物，尤其在100-300纳米(nm)范围内敏感的正性作用光刻胶。本发明还涉及一种用于使本发明光刻胶组合物成像的方法。另外，还公开了戊内酯，它是一种用于光刻胶组合物的溶剂，它特别可用于本发明的光刻胶。背景技术光刻胶组合物用于微平版印刷工艺中以制造微型化电子元件，如用于制造计算机芯片和集成电路中。一般，在这些工艺中，首先将光刻胶组合物的薄涂层膜施用到衬底，如用于制造集成电路的硅晶片上。将经涂覆的衬底随后烘烤以蒸发光刻...
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