技术编号：2756906
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体光刻装置投影光学系统，特别是涉及一种大曝光视场投影物镜。背景技术目前在半导体加工领域，微米级分辨率，高产率的投影光学系统需求日益增加。步进式光刻设备为了获得高产率，通常采用大的曝光视场，同时为了配合掩模尺寸，部分光学系统采用了 1.6x放大倍率。日本专利JP2000199850介绍了一种1. 6x放大倍率的光刻投影物镜。曝光波长使用GH线波段，硅片面视场大小117. 6mm，硅片面数值孔径为0. 1。此物镜为38片的多透镜结构，且包含一...
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