晶片边缘曝光模块及晶片边缘曝光方法技术资料下载

技术编号:2757169

提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种半导体制造方法,特别涉及一种可减少扫描机曝光时间及增加半 导体产率的方法及系统。背景技术半导体制造方法包括沉积、图案化以及于半导体晶片上移除不同材料层。图1公开一典型的半导体制造方法1000。晶片通常于一晶片涂布显影系统(wafer track)中进行加工。晶片涂布显影系统整合多种可对光致抗蚀剂进行加工的装置。于沉积 一光致抗蚀剂层后,如步骤1002,常常须利用化学机械研磨(CMP)对沉积层进行平坦化步 骤。化学机械研磨(CMP)包括于一泥浆...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。

详细技术文档下载地址↓↓

提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
该分类下的技术专家--如需求助专家,请联系客服
  • 孙老师:1.机机器人技术 2.机器视觉 3.网络控制系统
  • 杨老师:物理电子学