技术编号：2761555
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明系关于一种用于同时测量临界尺寸(CD)以及披覆结构于一半导体芯片上藉由将结构结合入一单一特征以使测量可以被执行于CD扫描电子显微镜(SEM)中一单次操作中。先前技艺描述在制造半导体装置中，其系大型积体(LSI)以及非常大型积体(VLSI)，极其复杂的电子电路系被制造于一硅芯片上。此制造已经引起大体上缩减电路尺寸以及因此改变半导体装置的制造需求。在制造程序中，光微影系典型地被利用以从一光罩转移一微小的图样至一集成电路之硅晶圆表面上。典型的光微影系统使用...
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