技术编号：2761557
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域，更具体地，涉及相移式(phase-shifting)掩膜和用于制作相移式掩膜的方法。背景技术 光刻技术的改进已经通过缩小集成电路(IC)增大了半导体器件的密度并提高了其性能。如瑞利准则所描述的那样，晶片步进机(stepper)可分辨的最小临界尺寸(CD)与照射源的波长成正比，与投影透镜的数值孔径(NA)成反比。但是，当CD变得小于光化波长时，衍射会损坏空间象。光化波长是在晶片步进机中掩膜被用来选择性地曝光涂覆在例如硅晶片的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。