技术编号：2764278
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制作含有深亚微米金吸收体图形的X光光刻掩模的方法，特别是涉及一种在掩模基片上制作三层结构，通过特殊设计的常规光刻掩模的套准光刻和垂直定向刻蚀，采用常规电镀和在图形侧面覆盖金膜相结合的混合技术，制备含有深亚微米线宽的金吸收体图形的X光光刻掩模的方法。现在，0.5μm以下的深亚微米线宽图形，在器件研究和制作中具有越来越重要的作用。X光光刻是大量复制生产这种图形的重要工艺，X光光刻掩模的制作是实施X光光刻的关键工艺之一。X光光刻掩模是由Si、Si3...
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