技术编号：2765034
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及特别适合在短波长特别是小于200nm波长如193nm成像的新型负性光致抗蚀剂组合物。本发明抗蚀剂通过交联或其它溶解度转换机理提供已曝光和未曝光涂层区域之间的对比度。优选的本发明抗蚀剂包括含有促进碱水可溶性的重复单元的树脂组分。2.背景技术光致抗蚀剂是用于给基质转印图像的感光胶片。在基质上形成光致抗蚀剂涂层，然后使光致抗蚀层通过光掩模暴露于活化辐射源。所述光掩模有活化辐射不能穿透的区域和可透过活化辐射的其它区域。暴露于活化辐射使光致抗蚀剂涂层发生光...
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