技术编号：2765254
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，特别涉及一种以在透光部分和遮光部分之间的界面构成的蚀刻表面处产生180度相移的方式，制作移相掩模的方法。这种移相掩模通过刻蚀石英基片上的遮光部位形成蚀刻凹槽，并在蚀刻凹槽上形成铬图形而构成。一种移相掩模通过利用透射移相材料的光和透射表面不涂镀移相材料的石英基片上的光之间的干涉现象形成多重移相，由此增加分辨率。这种产生多重移相的移相掩模和不产生移相的常规掩模一起广泛的应用于半导体器件的制造工艺。一般，移相掩模使用移相材料如氧化物来产生移相。然...
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