技术编号：2766305
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，特别是涉及一种能够对靠近遮光膜图型的入射光连续地相移三次的相移掩膜，由此可利用两电场之间的干涉效应。近来倾向于制造具有轻、薄、简单和小型化结构的半导体器件，这要求相邻线路之间的距离减小，布局技术的提高和单元元件如晶体管或电容器元件尺寸的减小，因此，形成具有微小尺寸的光刻膜图型的需求日益增长。通常，在曝光工艺中所使用的用以形成光刻膜图型的曝光掩膜是通过在石英衬底上涂覆包括铬层或铝层的遮光膜，然后根据离子束蚀刻法蚀刻遮光膜而制成，由此形成遮光膜...
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