技术编号：2766405
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及一种。该方法适用于高集成度半导体器件，尤其适于防止产生带有底膜和钻蚀的缺陷图形，从而容易控制图形宽度。在进行光刻工艺以在晶片上形成光致抗蚀剂图形时，涂敷在晶片上的光致抗蚀剂很可能会受空气中胺的污染。这种污染导致光致抗蚀剂图形两侧残留有未腐蚀的底部光致抗蚀剂图形的留膜现象或因腐蚀在光致抗蚀剂图形底部钻蚀的钻蚀现象发生，所以不能形成精确的精细图形。对此，下面将参照附图说明由胺造成的光致抗蚀剂图形底部底膜或钻蚀的产生。首先，说明用于形成光致抗蚀剂图...
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