技术编号：2766737
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及形成半导体器件微图案的方法，特别是涉及用于形成这样一种微图案的光照方法和装置。形成具有微对图案技术的发展对制造高集成度半导体器件的新近趋向产生了巨大的影响。在半导体器件制造中，利用光刻工艺形成的光刻胶薄膜图案被广泛用作为进行蚀刻，或离子注入工艺的掩模。众所周知，采用缩短光源发射的波长来改善步进光刻机的分辨率。例如，采用波长为365nm的i线激光作光源时的步进光刻机具有可以形成线/间距约为0.5微米图案的分辨率。采用波长为248nm的KrF激光或者...
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