技术编号：2766739
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于生产半导体装置的抗蚀材料以及用于这种抗蚀材料的聚合物组合物。更确切地说，本发明涉及一种用于通过施加紫外线、特别是波长不大于300nm的远紫外线、KrF准分子激光束等等作为曝光能源形成正图案的抗蚀材料，以及用于这种抗蚀材料的聚合物组合物。随着近来半导体装置趋向于高密度集成化，缩短用于精细加工的曝光装置能源波长的必要性尤为突出，特别是在光刻，而且现在认真考虑了远紫外线(波长300nm或以下)、KrF准分子激光束(248.4nm)等等。不过，迄今尚...
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