技术编号：2770146
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的为纳米材料。 背景技术直径~ lnm的硅纳米颗粒显示出受激发射。块状(bulk)硅是间接带隙为 l.leV、直接带隙为3.2eV的对光不敏感的间接带隙材料。但是直径为lnm 的硅纳米颗粒有效地产生了能隙为3.55eV且具有高效光学活性的新型宽带 直接带隙材料。1 nm硅纳米颗粒1.1 eV的间接带隙相当于红外区1.1 |im波长。 我们以前关于lnm硅纳米颗粒的研究工作表明其在红外区具有中等发射活 性。更早期的工作中所制备的尺度均一的lnm硅纳米颗...
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