技术编号：2770449
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及适合于诸如包括受激准分子激光等在内的远紫外射线、电子束、X-射线或辐射光等高能辐射的光刻术使用的光刻胶组合物。随着集成电路的更高集成度，最近已要求形成0.25μm量级的图案。为满足这种要求，一种能生产64兆和256兆DRAM的受激准分子激光光刻术已引起特别的兴趣。作为适合于这种受激准分子激光光刻过程使用的光刻胶，已经应用一种利用酸催化剂和化学放大效应的称之为化学放大型光刻胶的光刻胶。对于化学放大型光刻胶，曝光部分在碱显影液中的溶解度随用作为催化剂...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。