技术编号：2770776
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在象半导体晶片这样曝露于电子束下的基片上形成集成电路的精细图案的电子束曝光系统。特别地，本发明涉及适合于单元投影以获得高产量的电子束曝光系统。本申请基于在日本提交的专利申请特开平10-331790，其内容包含于此以供参考。与利用紫外线辐射的常规缩小投影技术相比，电子束曝光技术的优点在于能够以高分辨率在半导体晶片上形成非常精细的图案。最近，要求象存储器这样的半导体器件以高产量生产。为了符合这种需要，电子束曝光系统采用特别为电子束设计的掩膜进行单元投...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。