技术编号:277100
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明涉及,1)、将石斛的部分组织消毒后,植入第一培养基里,进行萌发培养,培养温度为24-26℃,湿度为65-75%,光照度为1000-2000lx,日光照时间为10-12 小时,培养10-15天,生成弱根植株;2)、将所述弱根植株转入第二培养基里,培养温度为22-28℃,湿度为65-75%,光照度为1500-2500lx,日光照时间为10-12 小时,培养5-10 天。提高了石斛组培苗的扩繁速度、生产质量、移栽成活率,而且有效地缩短了铁皮石斛大棚培育时间,提升成年铁皮石斛的品质,这对石斛资源的再生和持续利...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。