技术编号：2772251
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光刻工序，特别是涉及即便是在余裕度狭窄的光刻工序中也可以实现晶片或掩模的成品率的提高的集成电路的图形设计方法和曝光掩模的制作方法，以及即便是在余裕度狭窄的光刻工序中也可以应用的曝光掩模和集成电路器件的制造方法。背景技术 近些年来，随着集成电路的微细化的加速，就产生了要在晶片上以高的精度形成由波长比进行图形复制时的曝光光的波长更短的设计尺寸构成的集成电路的图形的必要。例如，从受激图形的设计尺寸为110nm的产品代开始，作为曝光光就要导入ArF受激准...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。