技术编号：2773492
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于制造半导体装置、平板显示器(FPD)等的光致抗蚀图案形成方法，特别涉及一种用于形成超高耐热性光致抗蚀图案的方法，它适合用于使用半色掩模(half tone mask)的4掩模工艺(一种使用减少数目的光掩模的抗蚀图案形成方法)，它是要求高耐热性抗蚀剂的TFT(薄膜晶体管)活性基质制造工艺的方法之一，或用于形成反射型TFT的保留有波状的材料。背景技术 在如半导体集成电路如LSI的制造、FPD显示屏的生产、感热头的电路基板的制造等多种领域中，光...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。