技术编号：2773987
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及基片支撑件。背景技术 迄今已经在大型玻璃基片或者玻璃板上制成了薄膜晶体管以用于监视器、平面显示器、太阳能电池、个人数字助理(PDA)、蜂窝式电话等。这些晶体管是通过在真空室内顺序地沉积包括非晶硅、掺杂和未掺杂的氧化硅、氮化硅等的各种膜而制成的。用于沉积薄膜的一种方法是化学气相沉积法(CVD)。CVD是温度相对较高的处理，要求基片经得住300摄氏度到400摄氏度量级的温度，而其处理过程中温度超过500摄氏度。CVD膜处理已经广泛地用于在基片...
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