技术编号：2776232
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置的制造技术，具体涉及曝光技术。背景技术 半导体装置一直向精细化发展，为求得更高的精度，曝光机的数值孔径NA(Numerical Aperture)进一步增大。但是，若数值孔径NA增大，则对曝光对象例如光刻胶的入射角增大，致使一直被忽略的偏振光的影响显著。这会导致光刻胶上的成像特性恶化。相关内容例如在以下列举的非专利文献“BruceW.Smith，et.a1.，“高数值孔径、偏振以及光刻胶提出的课题(Challengesin high N...
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