技术编号：2776379
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制作分布反馈(DFB)内光栅耦合结构的方法，特别涉及一种制作平面型DFB内光栅耦合结构的方法。目前在制作DFB半导体激光二极管和过滤器时，DFB内光栅都是先在InP、GaAs衬底上或在其外延结构层上通过刻蚀的方法刻出周期性布拉格光栅，然后再在光栅上作外延掩埋而形成激光器的内光栅耦合结构(见文献Y.Luo et al，Appl.Phys.Lett.，Vol.55，PP.1606-1608，1989及G.P.Li et al，Electronic...
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