技术编号:27766150
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种碳化硅tmbs器件结构及其制造方法技术领域.本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种碳化硅tmbs器件结构及其制造方法。背景技术.碳化硅肖特基二极管是最早实现商业化的碳化硅基电力电子器件结构,因其优良的器件性能,在通讯电源和光伏逆变等领域被广泛的使用。传统的碳化硅肖特基二极管为平面型结构,利用漂移区顶部注入的p型区域,减小器件顶部的电场;在浪涌工作条件下,p型注入区域与n型漂移区的np结开启,导通大的浪涌电流。.沟槽型jbs器件是一种改进的碳化硅肖特基二极管结构,使用沟槽p型注入的...
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