技术编号：2776894
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及正性或负性抗蚀剂组合物以及使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法，所述组合物在包括浸渍光刻技术(浸渍曝光)步骤的抗蚀剂图案形成方法中使用。背景技术 光刻技术广泛用于在各种电子设备如半导体设备和液晶设备中制备微观结构，而这些设备结构发展的小型化引起了人们对于在这些光刻法中使用的抗蚀剂图案进一步小型化的需求。对于当前的光刻技术，使用最新的ArF准分子激光，可以形成线宽约为90nm的精细抗蚀剂图案，但是，将来需要形成更精细的图案。为了能够形成小于90n...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。