技术编号：2777197
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光刻处理方法，尤其涉及计算用于其中的多次曝光技术的工艺结果。背景技术 通常，通过形成几层材料层来在半导体晶片上形成诸如MOSFET的器件。所形成的那些层中的大部分这样制造的，利用例如光刻的照相构图技术来曝光器件上的目标对象，以在感光介质中形成图形。在制造工艺期间，利用目标对象上的感光介质(光致抗蚀剂层)的单次曝光来印刷器件上的各层图形，以形成作为感光层(光致抗蚀剂层)曝光之后显影的结果的光刻掩模。如何从用于曝光感光层例如用于该用途的光致抗蚀剂的单...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。