技术编号：2778343
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景技术发明领域本发明涉及光刻胶组合物，更具体而言，本发明涉及正型光刻胶组合物，其包含聚合物，该聚合物包含衍生自包括氟磺酰胺官能团的磺酰胺单体的第一重复单元。相关技术的描述在半导体的制造中，光刻工艺通常通过定义电子电路具体图案的掩模，使紫外线投射到涂有一层光敏保护层，即光刻胶的半导体基材上面。暴露在紫外光下，接着烘焙，将诱导光化学反应，该反应改变光刻胶的暴露区域的溶解度。其后，合适的显影剂，典型地为碱的水溶液，被用来选择性地除去暴露区域中或者未暴露区域中的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。