技术编号：2779451
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种顶部涂层组合物及一种使用该组合物形成精细图案的方法，所述组合物和方法用于半导体装置制造法的光刻工艺。特别地，本发明涉及一种用于防止胺污染的，所述组合物适用于使用具有低于250nm超短波的光源形成超微图案的光刻工艺。近来，化学放大型DUV光致抗蚀剂已被研究以便在制备半导体装置的精细图像形成工艺中达到高的感光度。这种光致抗蚀剂是通过将一种光酸发生剂与具有酸性不稳定基团的基质树脂聚合物掺合而制备的。根据这种光致抗蚀剂(有时称为“PR”)的反应机理，...
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